晶片間介電層填充設備拓展業界領先的3D整合與小晶片技術解決方案組合，帶動全新AI架構的發展
Lam Research 科林研發（那斯達克股票代號：LRCX）今日發佈 VECTOR® TEOS 3D，這是一款突破性的沉積設備，專為下世代人工智慧（AI）和高效能運算（HPC）應用所需晶片的先進封裝而設計。TEOS 3D 旨在解決 3D 堆疊和高密度異質整合中的關鍵挑戰。它採用專有翹曲晶圓片傳送方案、介電沉積創新技術，並借助科林研發 Equipment Intelligence® 技術增強監測能力，可實現超厚且均勻的晶片間介電層填充。目前，TEOS 3D 已在全球領先的邏輯晶片和記憶體晶圓廠投入使用。
科林研發全球產品事業群資深副總裁 Sesha Varadarajan 表示：「VECTOR TEOS 3D 能沉積業界最厚且無空隙的晶片間介電層填充薄膜，可根據先進晶片堆疊整合方案的高難度需求進行客製化，即便在超高應力、高翹曲的晶圓片也能適用。這是我們領先業界的先進封裝解決方案組合中又一強大成員，它所提供的差異化原子級創新，能協助晶片製造商突破摩爾定律限制，邁向 AI 時代。」
解決製造痛點
人工智慧的爆炸性成長，推動市場支援日益龐大資料工作負載的新型元件需求。晶片製造商正採用 3D 先進封裝技術，將多個晶片整合到小晶片（chiplet）架構中，以實現 AI 運算能力。透過將記憶體與處理單元更緊密結合、最佳化電路路徑，小晶片設計可提升處理速度，並在更小的尺寸中整合更高效能。然而，隨著小晶片堆疊高度增加並變得更複雜，一系列的製造新挑戰隨之出現，製程中的應力可能導致晶圓扭曲或翹曲，薄膜中的裂縫與空隙可能引發缺陷並降低良率。
TEOS 3D 克服了先進封裝生產中的多項關鍵挑戰，能精準且可靠地處理厚重、高翹曲的晶圓片。它以奈米級精度在晶片間沉積厚度達 60 微米的專用介電薄膜，且具備沉積厚度超過 100 微米薄膜的擴展能力。這類薄膜提供關鍵的結構、熱力學和機械強度支撐，防止層狀結構剝離等常見封裝失效問題。此外，TEOS 3D 也搭載了科林研發獨創的翹曲晶圓載盤技術和最佳化的晶圓載盤設計，在處理厚晶圓時能提供卓越穩定性，即便面對極端晶圓翹曲，也能實現均勻的薄膜沉積。
其他亮點包括：
- ● 首個能以單次製程沉積厚度超過 30 微米且無裂縫薄膜的解決方案，大幅提升良率並縮短製程時間。
- ● 獨特的 Quad-Station 模組（QSM）架構提升生產力：科林研發經過驗證的 QSM 架構透過四個獨立反應機構實現平行處理，減少瓶頸問題。模組化設計使其產能相較科林研發上一代介電層填充解決方案提升近 70%註1，並提升高達 20% 的擁有成本效益。
- ● 科林研發 Equipment Intelligence® 技術實現製程可重複性：內建於 TEOS 3D 的 Equipment Intelligence 解決方案，透過智慧技術監測製程、快速解決問題並自動化例行任務，可提升設備效能與可靠性，進而提升良率。
- ● 更高的能源效率：整合高效率射頻產生器和節能模式外設控制，在提升製程精度的同時降低耗能。
加入業界領先的先進封裝解決方案組合
憑藉該公司在先進封裝領域 15 年的領導地位，以及在介電薄膜數十年的專業經驗，TEOS 3D 建立在科林研發已有的 VECTOR® Core 和 TEOS 產品系列之上，標誌著在整合封裝材料與製程的持續創新。它是科林研發全面產品組合的一部分，該組合提供業界領先的解決方案，解決關鍵挑戰，並推動先進封裝工作流程中的創新與生產力提升。
註1：基於內部測試；68%。
