最近記憶體顆粒吃緊，價格也往上狂漲，相關產業應該有感受到利多襲來的浪潮！韓國 SK Hynix 在年度的 記憶體 AI 峰會上也針對了未來的儲存規劃做了主題演講 (SK AI SUMMIT 2025)，包括 2026~2028 近程與 2029~2031 中程的 HBM、DRAM、NAND 三大方向的打算都一一揭露。
根據 X(推特) 上 @harukaze5719 的發帖，一共 4 張的 Roadmap 圖表就能看到許多重點趨勢，包括以 SK Hynix 的設想是將 HBM 原本放在 GPU/ASIC 中的控制器等相關部分移到 Basic Die 中，這樣可以讓 Compute Core 騰出更多空間、並降低連接介面的能耗。
並且也為 AI 世代的 DRAM 規劃了三大發展方向，包括 AI-D O、AI-D B、AI-D E，分別主打低功耗高性能、整合運算、擴展應用領域等，另外在企業儲存計畫上則是：
● 2026~2028：預計將推出 16 層堆疊的 HBM4 並開始提供定製化的 HBM 解決方案，包括 LPDDR5R、LPDDR6 以及 PCIe Gen 6 NAND 與 UFS 5.0 等新產品。
● 2029~2031：此段時程將會邁入 HBM5 (E)，包括 DRAM 下一代 GDDR、DDR6 以及 3D DRAM 等，另外也將推出 400+ 層堆疊的 NAND、PCIe Gen 7 SSD 以及更多 UFS 6.0 產品。
其他三張 Roadmap 圖片也一併提供做為參考！
