正當企業級 HBM3 記憶體的生產在各家顆粒廠之間打得如火如荼之際，消費級顯示卡的 GDDR 顯示記憶體也正在醞釀改朝換代時刻，你我都相當熟悉的世界半導體大廠 Samsung 在近期也正式確認了下一世代 GDDR7 顯示記憶體的部分特性，將把目前業界慣用的 PAM4、NRZ 訊號發送方式更改為 PAM3，並帶來比 GDDR6 高出一倍的傳輸頻寬。
Samsung 表示，GDDR7 的頻寬將可以達到 36 Gbps，與 Radeon RX 6000 使用的 GDDR6 頻寬為 18 Gbps 相比，傳輸效能上升兩倍。換算下來，未來顯示卡如果採用 256-bit 的 GDDR7，其傳輸頻寬將能來到 1152 GB/s (1TB=1024GB)，已經直逼用上 384-bit GDDR6X，以總頻寬為 1186.6GB/s 的 RTX4090來說，若進一步換成 384-bit 的 GDDR7的話，頻寬更是可以衝上 1728 GB/s。
另外，為了避免傳輸效能越高，晶片發熱越嚴重的問題，Samsung 將 GDDR7 的訊號更換為了 PAM3，號稱能夠節省 25% 的功耗，讓顯卡廠商不用為顯卡的記憶體散熱而煩惱。
目前顯示卡記憶體的訊號發送方式主要以 PAM4 和 NRZ 兩種為主，主要差別在於電位差的表示方式不同，PAM4 的表達方式是由兩組0和1組合而成，也就是00、01、10、11，而 NRZ 則只以 0 與 1 來表示。
而 PAM3 的訊號表示方式則是加入正負極的概念，由 0、1、-1 進行組合，在過去科技業認為 PAM3 用於記憶體的效率會好過 PAM4、但遜於 NRZ，不過自從 Micron 以 PAM4 作為 GDDR6X 訊號傳輸，加上這次 Samsung 選擇使用 PAM3 作為 GDDR7 的訊號發送標準的趨勢來看，可以確信相關的迷思已經被打破。
接下來就是大家敲碗期待哪時候會實裝在下一代的顯示卡上吧！RTX 5090嗎？........
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