先進圖案化技術實現同級產品中最低的缺陷率
Lam Research 科林研發（那斯達克股票代號：LRCX）宣佈其創新的乾式光阻（dry resist）技術可直接印刷 28 奈米間距之後段（BEOL）邏輯製程，適用於 2nm 及以下先進製程，現已獲得在奈米電子與數位技術領域中，極具領導地位的研究與創新中心 imec 所認證。乾式光阻是科林研發推出的先進圖案化技術，可提高極紫外光（EUV）微影的解析度、生產量和良率，而極紫外光（EUV）微影是生產下世代半導體元件的關鍵技術。
科林研發技術長暨永續長 Vahid Vahedi 表示：「科林研發的乾式光阻技術提供了前所未有的低缺陷率、高解析度的圖案化，我們很高興向 imec 及其合作夥伴提供這項技術，作為先進半導體元件設計和製造的關鍵製程。」
隨著晶片製造商邁向先進技術節點，電晶體的特徵和間距尺寸持續縮小。積極推進的下世代元件技術藍圖需要可直接印刷 28 奈米間距的後段製程（BEOL）來實現微縮。小的間距尺寸通常會導致圖案解析度較差，但科林研發的乾式光阻技術克服了眾所皆知的 EUV 曝光劑量（成本）和缺陷率（良率）之間的權衡，有助於最佳化圖案化。
在 imec，科林研發的乾式光阻製程與低數值孔徑極紫外光（Low NA EUV）機台配對，並可擴展到高數值孔徑極紫外光的設備。它們提高了 EUV 靈敏度和每個晶圓通道的解析度，從而改善成本、效能和良率。此外，乾式光阻比現有的濕式化學光阻製程消耗更少的能源和減少五到十倍的材料，提供了關鍵的永續性優勢。科林研發的技術優於濕式光阻材料，缺陷率極低，且成本具競爭力。
「透過聯合研發，imec 擔當設備製造商的中立合作夥伴，展示新材料和設備的可行性，支援製程開發，並為整合元件製造商和晶圓廠提供早期獲得創新製程的機會，從而加速其製造進程。」imec 製程技術副總裁 Steven Scheer 表示：「科林研發的乾式光阻技術以具有競爭力的曝光劑量實現了優異的低缺陷率和高保真度。」
